Damit sind wir in der Lage die Elektron – Druckfestigkeit über die Gesamt - Magnetflussdichte (B_ges) zu ermitteln. Hierzu verwenden wir den Zusammenhang F_Lges = B_ges·e·c. Es bedeutet F_Lges die magnetische Kraft (Lorentzkraft) die auf eine mit c – Geschwindigkeit im Magnetfeld bewegte Elementarladung ausgeübt wird. Es tritt diese Kraft in der Richtung des Induktionsflusses, also allseitig radial nach außen gerichtet, in Erscheinung. Um den „Elektronrand“ nach innen zu drücken, muss diese Kraft überwunden werden. Es ist diese Kraft gleich der uns im Kapitel „Elektrische Erschließungskraft“ begegneten formalen mechanischen Fliehkraft F_z=m_es·c²/r_m. Mit B_ges=F_ges/A_ges ergibt sich dann die Gleichung F_ges/A_ges·e·c=m_es·c²/r_m. Mit A_ges=½·4pr_m² erhalten wir F_ges·e·c=m_es·c²/r_m·½·4pr_m² bzw. F_ges=m_es·c/e·½·4pr_m. Mit r_m=l·2/ja ergibt sich die Formel F_ges=m_es·c·l/e·½·(2p·2)·2/ja=½·h_s/½e·4p/ja bzw. F_ges=½h/½e. Es entspricht dieser Ausdruck dem im Elektron insgesamt enthaltenen Entstehungs-Magnetfluss.

Mit der Druckformel (Druck gleich Kraft pro Fläche) P_ges=F_Lges/O_el ergibt sich, hier ist wegen des Bezuges der Lorentzkraft auf die volle Fliehkraft die ganze Kugeloberfläche O_el=4pr_m² anzusetzen P_ges=[ja/2·h/½e·1/4pr_m²·(1+2/ja)·e·c]/(4pr_m²). Durch Einsetzen von h=m_es·c·l·4p/ja können wir schreiben P_ges=[ja/2·m_es·c·l/½e·4p/ja·1/4pr_m²·(1+2/ja)·e·c]/4pr_m². Wir können diesen Ausdruck ordnen und erhalten P_ges=m_es·c²/r_m·l/4pr_m·4p/ja·(1+2/ja)·ja/2·1/4pr_m²·1/½ bzw. mit r_m=l·2/ja die Gleichung P_ges=m_es·c²/r_m·l/4pl·ja/2·4p/ja·(1+2/ja)·ja·1/4pr_m², so dass sich der Ausdruck ergibt P_ges=m_es·c²/r_m·(1+2/ja)·ja/2·1/4pr_m² bzw. P_ges=(m_es·c²/r_m)/(4pr_m²)·(ja/2+1). Diese über die Magnetfluss - Dichte (B_ges) abgeleitete Formel für die Elektron – Druckfestigkeit setzt sich aus drei Faktoren zusammen. Der erste Faktor (m_es·c²/r_m) ist uns im Kapitel „Elektrische Erschließungskraft“ als formale mechanische Fliehkraft bereits begegnet. Der zweite Faktor (4pr_m²) stellt die Kugeloberfläche des Elektrons dar. Der dritte Faktor ist (ja/2+1). Da ja/2 = rd. 1/300, den abfließenden Magnetfluss darstellt, ist dieser dritte Faktor praktisch genau gleich eins und wir erhalten die Formel:

P_ges=(½·m_es·c²/r_m)/(½·4pr_m²)

Wir haben die vg. Formel noch um den Faktor ½ erweitert. Es ist dann der Bezug zur Magnetflussdichte deutlicher. Wie wir im Kapitel „Elektrische Erschließungskraft“ festgestellt haben, ergab sich die Elektron – Druckfestigkeit zu P_el=(m_es·c²/r_m)/(4pr_m²). Damit ist der vg. Ausdruck genau so groß. Dieses Ergebnis bedeutet, dass auch der im Elektron enthaltene Gesamt - Magnetfluss die Elektron – Druckfestigkeit verursacht!

Diese Übereinstimmung macht deutlich, dass der Innenraum des Elektrons von r=0 bis r=r_m gänzlich anderer Natur ist, wie der das Elektron umgebende Außenraum. Demnach wird das magnetische Elementarfeld des Elektrons durch die Einschließungs–Kraft (m_es·c²/r_m) zusammen gehalten. Die Erschließungskraft ist daher wie eine Umschließungskraft aufzufassen, analog wie der Metallreifen eines Fasses, der den Innendruck des Fasses kompensiert.